華邦電總座：2027年記憶體供給將比今年更吃緊 AI客戶提前卡位長約

AI浪潮持續推升記憶體需求，華邦電（2344）總經理陳沛銘今日在法說會提出DRAM和快閃記憶體（Flash）趨勢，他強調，目前DRAM市場仍處於供給吃緊狀態，公司預期2027年整體記憶體供應將比今年更緊張，市場需求將更難被滿足，即使持續擴充產能，短期內新增供給仍有限，因此未來兩年市場仍將維持供不應求態勢。

陳沛銘指出，目前AI資料中心、高速網通設備、車用電子及工業控制等需求同步成長，其中資料中心建置速度最快，雖然華邦並未直接供應AI伺服器主記憶體，但已大量供貨應用於交換器（Switch）、網路設備及通訊基礎建設所需的DRAM與NOR Flash產品，帶動相關產品需求持續攀升。

他表示，華邦電未來兩、三年並沒有大量新增產能，各主要供應廠主要以製程微縮及提升良率作為增加有效產出的主要策略。其中，高雄廠16奈米DRAM目前良率已接近88%，公司目標年底提升至接近90%，藉由增加每片晶圓可生產的位元數，提升整體供應能力，而非單純依賴新增設備。

除持續優化16奈米製程外，華邦董事會也拍板啟動高雄第二雙子星廠新廠興建計畫，預計2027年動工、2029年量產，並導入EUV設備及14奈米、12奈米等新世代DRAM製程，但陳沛明坦言，新廠真正挹注產能仍需時間，因此在89B投產前，市場供應仍將相當吃緊。

陳沛銘說，市場看好AI需求將延續多年，已有不少客戶主動洽談長期供貨合約（LTA），除原有供貨協議外，更希望提前預約2029年、甚至2030年89B新廠產能。不過，公司強調，LTA將優先提供給具長期合作基礎、需求穩定的策略型客戶，不會因短期需求波動而大量承接消費性訂單，以確保雙方能共同規劃未來五年至十年的產能布局。

在營運表現方面，陳沛銘表示，華邦電第2季營益率達48%左右，公司希望第3季營益率進一步突破50%，受惠DRAM及NOR Flash價格維持高檔，以及產品組合持續優化，整體獲利能力可望再提升。

展望後市，陳沛明認為，AI應用已不再侷限於高頻寬記憶體（HBM），包括DDR3、DDR5、利基型DRAM、NOR Flash、SLC NAND，以及車用、工控、邊緣AI等市場需求同步增溫，在新增產能無法立即到位下，2027年全球記憶體供需將較今年更加緊俏，華邦將透過先進製程升級、良率改善及高雄新廠布局，把握AI帶動的新一波成長契機。

華邦電今日也公布第2季財報，受惠記憶體價格續漲及產品組合優化，單季營收達598.43億元，季增56.4%；毛利率攀升至66.2%，較第一季明顯提升，若扣除新唐，毛利率更達70.3%；營業利益289.8億元，營益率48.4%，雙雙創下歷史新高，稅後純益243.17億元，季增139.2%，每股純益5.4元，創單季新高；上半年每股純益達7.65元，同創歷年同期新高。